热卖 NCV8440ASTT1G_深圳市太航半导体有限公司

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地址：福田区深南中路国际科技大厦2501
传真：0755-83502530
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产品分类

优势库存(2000)普通库存(100000)集成电路(IC)(313)

连接器/接插件(1)

插针(座)(1)

传感器(1)

压力传感器(1)

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供应热卖 NCV8440ASTT1G

型号：

NCV8440ASTT1G

封装：

原厂封装

批次：

18+

数量：

500000

货期：

现货

产品信息

NCV8440ASTT1G (2).jpg

NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G

Features

• Diode Clamp Between Gate and Source

• ESD Protection − Human Body Model 5000 V

• Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp

• Scalable to Lower or Higher RDS(on)

• Internal Series Gate Resistance

• These are Pb−Free Devices

Benefits

• High Energy Capability for Inductive Loads

• Low Switching Noise Generation

Applications

• Automotive and Industrial Markets:

Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers

• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100

Qualified and PPAP Capable

型号

NCV8440ASTT1G

数量

790

厂商

ON Semiconductor

描述

MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4

系列

包装

剪切带（CT）

零件状态

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）

59V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

2.6A（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）

110 毫欧 @ 2.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）

1.9V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）

4.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）

155pF @ 35V

功率 - 值

1.69W

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223

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质优价廉，品质保证！

批号：无铅环保
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联系人：李先生 13662688167

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