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深圳市太航半导体有限公司
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企业档案
产品信息
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G
Features
• Diode Clamp Between Gate and Source
• ESD Protection − Human Body Model 5000 V
• Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp
• Scalable to Lower or Higher RDS(on)
• Internal Series Gate Resistance
• These are Pb−Free Devices
Benefits
• High Energy Capability for Inductive Loads
• Low Switching Noise Generation
Applications
• Automotive and Industrial Markets:
Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers
• NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100
Qualified and PPAP Capable
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