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深圳市太航半导体有限公司
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产品信息
Features Advanced GaN HEMT Technology Output Power of 9W Advanced Heat-Sink Technology 30MHz to 512MHzInstantaneous Bandwidth Input Internally Matched to 50 28V Operation TypicalPerformance Output Power 39.5dBm Gain 19dB Power Added Efficiency 70% -40°C to 85°C OperatingTemperature Large Signal Models AvailableApplications Pre-Driver for Multiband WirelessInfrastructure Transmitters Class AB Operation for PublicMobile Radio Power Amplifier Stage forCommercial WirelessInfrastructure General Purpose Tx Amplification Test Instrumentation Civilian and Military Radar
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